１、用测电阻法判别结型场效应管的电
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电。具体方法：将数字接地电阻拨在R×1k档上，任选两个电，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电分别是漏D和源S。因为对结型场效应管而言，漏和源可互换，剩下的电肯定是栅Ｇ。也可以将数字接地电阻的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电，另一只表笔依次去接触其余的两个电，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电为栅，其余两电分别为漏和源。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅为止。
２、用测电阻法判别场效应管的好坏
测电阻法是用数字接地电阻测量场效应管的源与漏、栅与源、栅与漏、栅Ｇ1与栅Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将数字接地电阻置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源Ｓ与漏Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断。然后把数字接地电阻置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅Ｇ1与Ｇ2之间、栅与源、栅与漏之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅在管内断，可用元件代换法进行检测。
３、用测电阻法判别无标志的场效应管
首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源Ｓ和漏Ｄ，余下两个脚为*栅G1和第二栅G2。把先用两表笔测的源Ｓ与漏Ｄ之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电为漏Ｄ；红表笔所接的为源Ｓ。用这种方法判别出来的Ｓ、Ｄ，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是Ｄ；红表笔所接地是８，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏Ｄ、源Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序。
４、用测反向电阻值的变化判断跨导的大小
对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源Ｓ、黑表笔接漏Ｄ，这就相当于在源、漏之间加了一个反向电压。此时栅是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将数字接地电阻的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，此时表内电压较高。当用手接触栅Ｇ时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。
５、用感应信号输人法估测场效应管的放大能力
具体方法：用数字接地电阻电阻的R×100档，红表笔接源Ｓ，黑表笔接漏Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。
根据上述方法，我们用数字接地电阻的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。先将管的Ｇ开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住Ｇ后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。
运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅时，数字接地电阻针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力。
第二，此方法对MOS场效应管也适用。但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅Ｇ允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅，以防止人体感应电荷直接加到栅，引起栅击穿。第三，每次测量完毕，应当G-S间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起ＶGＳ电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S间电荷短路放掉才行。